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J-GLOBAL ID：200903038728795240

単結晶膜の製造方法

Inventor：
今枝 美能留

About 今枝 美能留

, 
吉野 隆史

About 吉野 隆史


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (1)： 杉村 暁秀 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998145613
Publication number (International publication number)：1999335199
Application date： May. 27, 1998
Publication date： Dec. 07, 1999
Summary：
【要約】【課題】ニオブ酸リチウムカリウム(KLN)単結晶またはニオブ酸リチウムカリウム-タンタル酸リチウムカリウム固溶体(KLNT)単結晶膜を育成する方法において、光挿入損失の少ない単結晶膜が得られるようにする。【解決手段】前記単結晶膜用の材料からなるターゲット11に対してレーザー光を照射し、ターゲット11中の分子を乖離および蒸発させてガス状にし、KLNT単結晶またはKLN単結晶からなる下地10上に、単結晶膜をエピタキシャル成長させる。好ましくは、下地10が単結晶基板からなり、この単結晶基板をマイクロ引き下げ法によって作製し、ターゲット11を構成する材料が、KLNTまたはKLNの単結晶からなるか、あるいはこれらの焼結体からなる。
Claim (excerpt)：
ニオブ酸リチウムカリウム-タンタル酸リチウムカリウム固溶体単結晶またはニオブ酸リチウムカリウム単結晶からなる単結晶膜を製造する方法であって、前記単結晶膜用の材料からなるターゲットに対してレーザー光を照射し、前記ターゲット中の分子を乖離および蒸発させてガス状にし、ニオブ酸リチウムカリウム-タンタル酸リチウムカリウム固溶体単結晶またはニオブ酸リチウムカリウム単結晶からなる下地上に前記単結晶膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする、単結晶膜の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/30 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/20
FI (4)：
C30B 29/30 ,  C30B 29/30 C ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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