半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995197817
Publication number (International publication number)：1997045705
Application date： Aug. 02, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】制御回路付きパワーMOSFETを有する半導体装置の信頼性を向上させる。【構成】制御回路付きパワーMOSFETを有する半導体装置の制御回路を構成する横型MOSFET(Qn)のゲート電極7を耐湿性に優れた窒化シリコン膜8で直接覆うことにより、PSG膜9中の水分がゲート酸化膜6に浸入するのを防止する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板の表面部の第2導電型のウエル内に設けられた第1導電型のソース領域およびドレイン領域と、前記ウエル上にゲート酸化膜を介して設けられたゲート電極とを有する横型MOSFETを備えた半導体装置であって、前記横型MOSFETのゲート電極を窒化シリコン膜で直接覆ったことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 29/78 658 J , H01L 29/78 301 N , H01L 29/78 652 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-280356
特開昭51-091676
特開昭61-226930

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