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J-GLOBAL ID：200903038736145750

イオン化スパッタリング装置

Inventor：
小林 正彦

About 小林 正彦

, 
高橋 信行

About 高橋 信行


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 保立 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997111902
Publication number (International publication number)：1998289887
Application date： Apr. 14, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高周波コイルのスパッタによる問題を解決し、不要なプラズマ形成を防止し、プラズマ形成のための最適なガス供給の構成を提供することでプラズマ形成効率を改善して、実用的なイオン化スパッタリング装置を提供する。【解決手段】 ターゲット2と基板ホルダー5との間のイオン化空間を取り囲むように設けられた高周波コイル61には、スパッタによって放出される材料が基板50に到達するのを遮蔽するコイルシールド64が設けられる。コイルシールド64は金属製であり、接地されて不要な場所でのプラズマ形成を防止する。コイルシールド64は中空であり、イオン化空間を臨む内側面にガス吹き出し穴が均等に形成されて、イオン化空間に向けてガスが吹き出るよう構成される。
Claim (excerpt)：
排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設けられたターゲットと、ターゲットをスパッタするスパッタ電極と、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、スパッタによってターゲットから放出されたスパッタ粒子をイオン化させるイオン化手段と、イオン化したスパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えたイオン化スパッタリング装置であって、前記イオン化手段は、ターゲットと基板ホルダーとの間のイオン化空間を取り囲むようにスパッタチャンバー内に設けられた高周波コイルと、この高周波コイルに所定の高周波を供給してイオン化空間に高周波誘導結合型プラズマを形成する高周波電源とから構成されており、高周波コイルには、当該高周波コイルがスパッタされて放出される高周波コイルの材料よりなるスパッタ粒子が基板に到達するのを遮蔽するコイルシールドが設けられていることを特徴とするイオン化スパッタリング装置。
IPC (3)：
H01L 21/285 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203
FI (3)：
H01L 21/285 S ,  C23C 14/34 S ,  H01L 21/203 S
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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