高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000311438
Publication number (International publication number)：2001181346
Application date： Oct. 12, 2000
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する主鎖がフッ素化されたポリスチレン誘導体を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中R1は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R2はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R3は炭素数6〜20のアリール基であり、水酸基及び/又はOR4基(R4は酸不安定基)で置換されている水酸基が結合されていてもよい。)【課題】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する主鎖がフッ素化されたポリスチレン誘導体を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中R1は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R2はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R3は炭素数6〜20のアリール基であり、水酸基及び/又はOR4基(R4は酸不安定基)で置換されている水酸基が結合されていてもよい。)

IPC (7)：

C08F 14/18 , C08L 25/18 , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 , H01L 21/027

FI (7)：

C08F 14/18 , C08L 25/18 , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-090203 Applicant：信越化学工業株式会社
ポジ型感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-019001 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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