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J-GLOBAL ID：200903039004061658

磁性素子、記憶装置、磁気再生ヘッド、及び磁気ディスク装置

Inventor： 猪俣 浩一郎 ,  中島 健太郎 ,  斉藤 好昭
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999138898
Publication number (International publication number)：2000332317
Application date： May. 19, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、室温でスピン蓄積効果を期待できるスピン依存トンネル効果素子を提供すること、また、これを用いた記憶素子、磁気再生ヘッド、及び磁気ディスク素子を提供する。【解決手段】本発明の第一は、第一及び第二の強磁性層1,5と、第一の強磁性層1と第一のトンネル障壁2を介して隣接し、第二の強磁性層5と第二のトンネル障壁4を介して隣接する半導体粒子3を備えることを特徴とする磁性素子を提供する。

Claim (excerpt)：

第一及び第二の強磁性層と、前記第一の強磁性層と第一のトンネル障壁を介して隣接し、かつ前記第一のトンネル障壁とはコンダクタンスの異なる第二のトンネル障壁を介して前記第二の強磁性層と隣接する半導体粒子を備えることを特徴とする磁性素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/16 ,  H01L 27/10 451

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/16 ,  H01L 27/10 451

F-Term (3)：

5D034BA03 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• スピン依存伝導素子とそれを用いた電子部品および磁気部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-039343   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (1)

• スピン依存伝導素子とそれを用いた電子部品および磁気部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-039343   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• "Enhanced Magnetic Valve Effect and Magneto-Coulomb Oscillations in Ferromagnetic Single Electron Tr
• "Magnetoresistance Oscillations due to Charging Effects in Double Ferromagnetic Tunnel Junctions"
• "Correlation between Barrier Width, Barrier Height, and DC Bias Voltage Dependences on the Magnetore
• "Observation of the single electron charging effect in nanocrystalline silicon at room temperature u
• "Spin-Dependent Tunneling between a Soft Ferromagnetic Layer and Hard Magnetic Nanosize Particles"

Cited by examiner (1)

• "Correlation between Barrier Width, Barrier Height, and DC Bias Voltage Dependences on the Magnetore