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J-GLOBAL ID：200902173572805577   Reference number：01A0059378

Correlation between Barrier Width, Barrier Height, and DC Bias Voltage Dependences on the Magnetoresistance Ratio in Ir-Mn Exchange Biased Single and Double Tunnel Junctions.

Ir-Mn系における交換相互作用バイアス効果を有する単一および二重トンネル接合の磁気抵抗比に関する障壁幅,障壁の高さおよびDCバイアス電圧依存性の間の相関

Author (6)： SAITO Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  AMANO M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKAJIMA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKAHASHI S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SAGOI M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  INOMATA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 39  Issue： 10B  Page： L1035-L1038  Publication year： Oct. 15, 2000 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *tunnel junction ,...

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JST classification (1)： Metal-insulator-metal structures  (BM03087F)

Reference (20)：

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Terms in the title (10)： Ir ,  Mn ,  交換相互作用 ,  バイアス ,  トンネル接合 ,  磁気抵抗 ,  障壁 ,  DC ,  電圧依存性 ,  相関