磁気検知素子及びこの素子を用いた方位検知システム

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：柏木慎史 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001002306
Publication number (International publication number)：2002207071
Application date： Jan. 10, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】小型・軽量で高感度な磁気検知素子を提供する。【解決手段】元々薄膜技術等を用いて作製されるTMR素子2を用いて磁気検知素子1を構成することで、小型・軽量化を図るとともに、当該素子1の一面に磁性層4の抗磁力よりも低く、かつ、その異方性軸が磁性層4の異方性軸とは独立して設定された磁界感知補助用軟磁性膜7を備える構成とし、抗磁力の差を利用することで磁力検知を機能分離して行なえることから、センサとしての磁界感度が向上するようにした。

Claim (excerpt)：

磁性層を有するトンネル磁気抵抗効果素子又は巨大磁気抵抗効果素子を用い、磁気検知部がその膜面に対して垂直方向に電流を流すことにより磁気を検知する平板状の磁気検知素子であって、当該素子の一面に配されて抗磁力が前記磁性層の抗磁力よりも低く、かつ、その異方性軸が前記磁性層の異方性軸とは独立して設定された磁界感知補助用軟磁性膜を備えることを特徴とする磁気検知素子。

IPC (2)：

G01R 33/09 , G01C 21/08

FI (2)：

G01C 21/08 , G01R 33/06 R

F-Term (6)：

2G017AA02 , 2G017AA03 , 2G017AA16 , 2G017AD51 , 2G017AD55 , 2G017AD63

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-093348 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-001907
特開昭63-016403

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