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J-GLOBAL ID：200903085593469868

磁気抵抗素子及びこれを用いた磁気デバイス

Inventor： 熊谷 静似 ,  池田 義人 ,  宮崎 照宣 ,  福本 能之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999009892
Publication number (International publication number)：2000208831
Application date： Jan. 18, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 これまで以上の磁化配列状態を実現し、多値化を可能とする。【解決手段】 反強磁性層と接して形成される第1の磁性層と、少なくとも2層以上の磁性層とがそれぞれトンネル障壁層を介して積層されている。例えば、少なくとも2層以上の磁性層が第2の磁性層及び第3の磁性層とからなる場合、無磁場において4種類の磁化の配列状態が存在する。

Claim (excerpt)：

反強磁性層と接して形成される第1の磁性層と、少なくとも2層以上の磁性層とがそれぞれトンネル障壁層を介して積層されていることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08

F-Term (10)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BB01 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗効果素子及び磁気情報検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-069581   Applicant：株式会社東芝
• 磁性薄膜メモリ素子およびその製造方法ならびに記録再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-155224   Applicant：キヤノン株式会社
• 磁気素子、磁気メモリおよび光磁気素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-241567   Applicant：株式会社東芝