酸化膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997323601
Publication number (International publication number)：1999162970
Application date： Nov. 25, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】不完全燃焼した水素ガスによる爆鳴気反応が生じることを確実に防止でき、しかも、酸化膜の形成を、安定した状態で、且つ、酸化速度を制御・抑制した状態にて行うことを可能とする酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】酸化膜の形成方法は、(イ)水蒸気発生装置に水素ガスを含む不活性ガスを導入する工程と、(ロ)その後、酸化性ガスを該水蒸気発生装置に導入し、該水蒸気発生装置内での水素ガスと酸化性ガスとの反応によって発生した水蒸気により半導体層の表面を酸化し、以て半導体層表面に酸化膜を形成する工程から成る。

Claim (excerpt)：

(イ)水蒸気発生装置に水素ガスを含む不活性ガスを導入する工程と、(ロ)その後、酸化性ガスを該水蒸気発生装置に導入し、該水蒸気発生装置内での水素ガスと酸化性ガスとの反応によって発生した水蒸気により半導体層の表面を酸化し、以て半導体層表面に酸化膜を形成する工程、から成ることを特徴とする酸化膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 S , H01L 21/31 E , H01L 29/78 301 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

低温酸化膜形成装置および低温酸化膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-306905 Applicant：大見忠弘
半導体基板の酸化方法及び酸化装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-037779 Applicant：ソニー株式会社
熱酸化膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-196099 Applicant：日本真空技術株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ウルトラクリーンULSI技術

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