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J-GLOBAL ID：200903039091527277

誘電体物質の光物性定数の光学的測定方法及びその装置並びにその装置を組み込んだ製造システム

Inventor： 武田 三男 ,  小島 誠治 ,  西澤 誠治
Applicant, Patent owner： 武田 三男
Agent (1)： 藤田 考晴 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001074938
Publication number (International publication number)：2002277394
Application date： Mar. 15, 2001
Publication date： Sep. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 THz-TDSを利用して、誘電体物質のポラリトンの分散関係及びその分散関係を用いて誘電体物質の誘電率を得ることができる誘電体物質の光物性定数の光学的測定方法及びその装置を提供することである。【解決手段】 THz-TDSによって誘電体物質からの反射電磁波又は透過電磁波の電場強度の時間波形をフーリエ変換することによって振幅及び位相についての分光スペクトルデータを得て、得られた振幅及び位相についての分光スペクトルデータを前記誘電体物質がない場合の分光スペクトルデータと比較して各周波数毎に前記誘電体物質による位相シフトを求め、その位相シフトから前記誘電体物質に入射されたパルス電磁波の波動と前記誘電体物質内の分極場の波動との連成波の波数を各周波数毎に求めることによってその連成波の分散曲線を得ることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

テラヘルツ域の周波数範囲を含む連続スペクトル分布を有するパルス電磁波を誘電体物質に入射し、その反射電磁波又は透過電磁波の電場強度の時間波形を測定し、その電場強度の時間波形をフーリエ変換することによって振幅及び位相についての分光スペクトルデータを得て、得られた振幅及び位相についての分光スペクトルデータを前記誘電体物質がない場合の分光スペクトルデータと比較して各周波数毎に前記誘電体物質による位相シフトを求め、その位相シフトから前記誘電体物質に入射されたパルス電磁波の波動と前記誘電体物質内の分極場の波動との連成波の波数を各周波数毎に求めることによってその連成波の分散曲線を得る誘電体物質の光物性定数の光学的測定方法。

IPC (7)：

G01N 21/35 ,  G01J 3/42 ,  G01N 21/27 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

G01N 21/35 Z ,  G01J 3/42 U ,  G01N 21/27 Z ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 29/78 371

F-Term (25)：

2G020AA03 ,  2G020BA02 ,  2G020CA14 ,  2G020CB23 ,  2G020CB42 ,  2G020CC47 ,  2G020CC48 ,  2G020CD04 ,  2G020CD13 ,  2G020CD35 ,  2G020CD56 ,  2G059AA02 ,  2G059BB16 ,  2G059EE01 ,  2G059EE02 ,  2G059FF04 ,  2G059GG01 ,  2G059HH01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM05 ,  5F083FR01 ,  5F083FR06 ,  5F083ZA20 ,  5F101BA62 ,  5F101BH30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• セラミック性状の測定方法とその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-187777   Applicant：有限会社アックス, 株式会社コーポレーションミユキ
• 非線形誘電率測定装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-209593   Applicant：株式会社村田製作所, 長康雄
• 低温焼結用誘電体材料の調製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-301287   Applicant：富士電気化学株式会社
• 誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-048276   Applicant：株式会社東芝, 日本ケミコン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• “時間領域テラヘルツ分光と強誘電体の低振動数ポラリトン”(25pYQ-1)
• “High frequency dielectric constant of KH2PO4 determined by polariton dispersion relation”
• “Preperation of Bi4Ti3O12 Thin Film on Si(100) Substrate Using Bi2SiO5 Buffer Layer and Its...”
• “時間領域テラヘルツ分光と強誘電体の低振動数ポラリトン”(25pYQ-1)
• “Preperation of Bi4Ti3O12 Thin Film on Si(100) Substrate Using Bi2SiO5 Buffer Layer and Its...”