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J-GLOBAL ID:200903039198842361
薄膜音響共振器及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山下 穣平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001141845
Publication number (International publication number):2005236337
Application date: May. 11, 2001
Publication date: Sep. 02, 2005
Summary:
【課題】電気機械結合係数及び音響品質係数などに優れた高性能の薄膜音響共振器を提供する。【解決手段】シリコンウェーハ51の表面に酸化シリコン薄層53の形成された基板に、窪み52が形成されている。窪み52をまたぐように、圧電体層62とその両面に接合された下方電極61及び上方電極63とからなる挟み込み構造体60が配置されている。下方電極61の上面及びこれと接合されている圧電体層62の下面は、高さのRMS変動が50nm以下である。下方電極61の厚さは150nm以下である。【選択図】 図8
Claim (excerpt):
圧電体層と、該圧電体層の第1の表面に接合された第1の電極と、前記圧電体層の前記第1の表面と反対側の第2の表面に接合された第2の電極とを有しており、前記圧電体層の第1の表面は高さのRMS変動が50nm以下であることを特徴とする薄膜音響共振器。
IPC (6):
H04R19/02
, H01L41/09
, H01L41/22
, H03H3/02
, H03H9/17
, H04R31/00
FI (6):
H04R19/02
, H03H3/02 B
, H03H9/17 F
, H04R31/00 C
, H01L41/08 C
, H01L41/22 Z
F-Term (8):
5D021DD00
, 5J108AA07
, 5J108BB07
, 5J108BB08
, 5J108CC04
, 5J108EE07
, 5J108GG03
, 5J108MM11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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圧電振動子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-144836
Applicant:ティーディーケイ株式会社, 小西良弘
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音響共振器とその製作方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-154956
Applicant:ヒューレット・パッカード・カンパニー
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金属層の上にピエゾ電子材料層が堆積された電子デバイスを製造する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-032114
Applicant:ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
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