電界効果半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高野則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006034946
Publication number (International publication number)：2007214483
Application date： Feb. 13, 2006
Publication date： Aug. 23, 2007
Summary：

【課題】オン抵抗の小さいノーマリオフ型HEMTを得ることが困難であった。【解決手段】本発明に従うHEMT型電界効果半導体装置は、電子走行層3と電子供給層4とを含む半導体領域5と、この一方の主面上に形成されたソース電極7及びドレイン電極8とを有し、更に、半導体領域5上に第1の絶縁膜9を介して配置されたキャリア蓄積層10と、このキャリア蓄積層10の上に第2の絶縁膜11を介して配置されたゲート電極12を有する。キャリア蓄積層10に蓄積された電子は、ゲート電極12に電圧を加えない状態で2DEG層14を遮断するために働く。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いに対向する一方及び他方の主面を有する半導体領域と、前記半導体領域の前記一方の主面上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記半導体領域の前記一方の主面における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に配置され且つ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間をノーマリオフにするためのキャリアを有しているキャリア蓄積層と、前記キャリア蓄積層の上に配置された第2の絶縁膜と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を流れる電流を制御するために前記第2の絶縁膜の上に配置されたゲート電極とを備えていることを特徴とする電界効果半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/06 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (5)：

H01L29/80 H , H01L29/80 F , H01L29/06 301F , H01L21/28 301B , H01L29/50 J

F-Term (31)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104FF10 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 5F102FA01 , 5F102FA09 , 5F102GA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM06 , 5F102GM08 , 5F102GM10 , 5F102GQ01 , 5F102GR09 , 5F102GR12 , 5F102GR13 , 5F102GS01 , 5F102GS03 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体素子形成用板状基体及びこの製造方法及びこれを使用した半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-392945 Applicant：サンケン電気株式会社

Cited by examiner (5)

不揮発性トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-291868 Applicant：日本電気株式会社
半導体記憶装置およびその書き込み、読み出し方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347699 Applicant：富士通株式会社
不揮発性半導体記憶装置および半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-326216 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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