不揮発性半導体記憶装置および半導体集積回路装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002326216
Publication number (International publication number)：2004164700
Application date： Nov. 11, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】メモリセルの書き換え耐性の向上、およびデータ読み出しの信頼性を大幅に向上する。【解決手段】フラッシュメモリには、ベリファイセンスアンプ回路7が設けられている。ベリファイセンスアンプ回路7は、電圧発生回路が生成したゲート電圧Vgiに応じてベリファイ時の判定電流を生成する。この判定電流は、読み出し動作時電流が流れたと判定できるメモリセルSのメモリ電流、および読み出し動作時電流が流れないと判定できるメモリセルSのメモリ電流とそれぞれ同じ程度の電流レベルである。それにより、読み出しに必要なメモリ電流をベリファイ動作において確保することにより、データ書き換えにより劣化したメモリセルSであってもデータ読み出しの信頼性を向上させることができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ベリファイ時に、不揮発性メモリセルのしきい値電圧を判定する判定電流を生成するセンスアンプ部を備え、前記センスアンプ部が生成する判定電流は、2つの電流レベルからなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6)：

G11C16/02 , G11C16/06 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (6)：

G11C17/00 611A , H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , G11C17/00 634D , G11C17/00 632Z , G11C17/00 612B

F-Term (31)：

5B025AB02 , 5B025AD04 , 5B025AD08 , 5B025AD10 , 5B025AE08 , 5F083EP02 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP32 , 5F083EP33 , 5F083EP35 , 5F083ER02 , 5F083ER14 , 5F083ER16 , 5F083ER17 , 5F083ER19 , 5F083ER22 , 5F083ER30 , 5F083GA21 , 5F083LA03 , 5F101BA01 , 5F101BA45 , 5F101BA46 , 5F101BB05 , 5F101BC02 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BD22 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

不揮発性メモリの消去及びプログラミング検証回路
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-500574 Applicant：マクロニクスインターナショナルカンパニイリミテッド, 日本鋼管株式会社
不揮発性半導体記憶装置及びベリファイ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-094071 Applicant：富士通株式会社
特開平3-263693

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