縮小したフィーチャーサイズのためのダマスクプロセス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997511944
Publication number (International publication number)：1998509285
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Sep. 08, 1998
Summary：

【要約】最初の寸法を有する開口を形成し、開口に第2の誘電材料を堆積して最初の寸法を縮小することによってサブミクロンのコンタクト/ビアおよびトレンチを誘電層に設ける。

Claim (excerpt)：

半導体装置であって、第1の誘電材料を含む第1の誘電層を含み、前記第1の誘電層は上表面と、下表面と、前記第1の誘電層を通って前記上表面から前記下表面に延びる第1の開口とを有し、前記第1の開口は、第2の誘電材料を含む有限の厚さを有する第1の側壁によって規定される第1の寸法を有する、半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置の配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-134101 Applicant：ソニー株式会社
特開平1-150342
特開平4-326553

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