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J-GLOBAL ID：200903039307964871

トレンチショットキー整流器

Inventor：
フシエフ、フュー-イウアン

About フシエフ、フュー-イウアン

, 
ソー、クーン、チョング

About ソー、クーン、チョング


Applicant, Patent owner：
ゼネラル セミコンダクター,インク.

About ゼネラル セミコンダクター,インク.


Agent (3)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003502893
Publication number (International publication number)：2004529506
Application date： May. 31, 2002
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：
ショットキー整流器を提供する。ショットキー整流器は、(a)互いに反対面となる第1及び第2の面12a、12bと、第1の面に隣接する第1の伝導性タイプを有するカソード領域12cと、第2の面に隣接し、カソード領域よりドープ濃度が低い第1の伝導性タイプを有するドリフト領域12dとを有する半導体領域と、(b)第2の面12bから半導体領域内に延び、半導体領域内に1つ以上のメサ14を画定する1つ以上のトレンチと、(c)トレンチの下部に設けられ、半導体領域に隣接する絶縁領域16と、(d)(1)第2の面12bにおいて、半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(2)トレンチの上部において、半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(3)トレンチの下部において、絶縁領域に隣接するアノード電極18とを備える。
Claim (excerpt)：
互いに反対面となる第1及び第2の面と、上記第1の面に隣接する第1の伝導性タイプを有するカソード領域と、上記第2の面に隣接し、上記カソード領域より正味ドープ濃度が低い第1の伝導性タイプを有するドリフト領域とを有する半導体領域と、 上記第2の面から上記半導体領域内に延び、該半導体領域内に1つ以上のメサを画定する1つ以上のトレンチと、 上記1つ以上のトレンチ内の上記半導体領域に隣接し、該半導体領域に接する熱成長絶縁層と、該熱成長絶縁層上に蒸着された蒸着成長絶縁層とを有する絶縁領域と、 (a)上記第2の面において、上記半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(b)上記トレンチにおいて、上記絶縁領域に隣接するアノード電極とを備えるショットキー整流器。
IPC (2)：
H01L29/47 ,  H01L29/872
FI (2)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 P
F-Term (9)：
4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104CC03 ,  4M104EE10 ,  4M104EE12 ,  4M104EE15 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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