エピタキシャルウェーハの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：寺田實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994031578
Publication number (International publication number)：1995240372
Application date： Mar. 01, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 GaP基板上に結晶性の良好なAlGaInP系DH構造を有するエピタキシャルウェーハと当該ウェーハを使用した高輝度のLEDを提供すること。【構成】 GaP基板上に格子定数の異なるAlGaInPエピタキシャル層のバッファ層を成長した後、その当該表面をポリッシュし、再度結晶成長することで結晶性の良好なDH構造を作製する。【効果】バッファ層成長後にその当該表面をポリッシュすることで、再度結晶成長する場合の成長初期で格子ミスマッチの影響が低減された良好な結晶が得られる。当該エピタキシャルウェーハを用いて作製したLEDについては従来構造より高輝度のものが得られる。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体基板上に基板と異なる格子定数を有する III-V族化合物半導体の能動層構造を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、基板上に能動層と同じ格子定数を有するバッファ層を成長させた後に、当該バッファ層表面をポリッシュし、その後再度能動層のエピタキシャル成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , C30B 25/18 , C30B 29/40 502 , H01L 21/304 321 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平3-163884
シリコン基板化合物半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-353903 Applicant：富士通株式会社
エピタキシャルウェーハ及び黄色発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-161246 Applicant：昭和電工株式会社

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