III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999130475
Publication number (International publication number)：2000286202
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【目的】スパッタ法など有機金属を原材料に用いない方法で基板上に形成された第一のIII族窒化物系化合物半導体層の上に結晶性のよい第二のIII族窒化物系化合物半導体層を形成する。【構成】有機金属を原材料に用いない方法で基板上に形成された第一のIII族窒化物系化合物半導体層であって、これを水素ガスとアンモニアガスとの混合ガスの雰囲気下で熱処理すると、その上に形成される第二のIII族窒化物系化合物半導体層の結晶性が向上する。

Claim (excerpt)：

有機金属を原材料に用いない方法で基板上に第一のIII族窒化物系化合物半導体層を形成し、該第一のIII族窒化物系化合物半導体層を水素ガスとアンモニアガスとの混合ガスの雰囲気下で熱処理し、その後、該第一のIII族窒化物系化合物半導体層の上に第二のIII族窒化物系化合物半導体層を形成する、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (23)：

5F041AA31 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AA10 , 5F045AA19 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF09 , 5F045DA53 , 5F045EE12 , 5F045HA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-292320 Applicant：松下電子工業株式会社
特開昭60-173829
特開昭60-039819

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