窒化ガリウム系半導体の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995066110
Publication number (International publication number)：1996264899
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】高品質なGaN単結晶層の気相成長方法を提供する。【構成】有機金属気相成長(MOVPE)法によりサファイア基板1上にGaNバッファ層2をトリメチルガリウム(TMG)とアンモニアを水素をキャリアガスとして供給して600°Cで堆積する。次にTMGの供給を停止し、アンモニアと水素の混合雰囲気で1030°Cのに昇温した後、さらにトリエチルガリウム(TEG)を加えてGaN単結晶層3を堆積する。このように原料ガスの切り替えにより、広い温度域に亘り平坦でかつ残留不純物の少ないGaNバッファ層が堆積でき、容易に平坦なGaN単結晶層が堆積できるうえ、GaN単結晶層の成長そのものにおいても炭素等の不純物の混入を抑制できかつC軸配向性に優れた高い結晶性のGaN単結晶が得られる。

Claim (excerpt)：

トリメチルガリウムを用いてGaN堆積層を堆積する工程と、前記GaN堆積層上にトリエチルガリウムを用いて前記堆積温度以上でGaN単結晶層を堆積する工程とを有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-043581 Applicant：株式会社東芝
特開平2-081484
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-079046 Applicant：日亜化学工業株式会社

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