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J-GLOBAL ID:200903039423485476
電子放出素子、電子源および画像形成装置、並びに電子放出素子の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
世良 和信 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001254637
Publication number (International publication number):2002150923
Application date: Aug. 24, 2001
Publication date: May. 24, 2002
Summary:
【要約】【課題】 素子容量および駆動電圧の低減と電子放出効率の向上を図るとともに、高精細なビームを得ることができる電子放出素子および電子源および画像形成装置および電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性の基板1上に引き出し電極2と陰極電極3を設け、陰極電極3上に繊維状カーボンの成長選択性を有する層5を形成し、層5上に形成した触媒粒子を介して繊維状カーボンを成長させる。
Claim (excerpt):
炭素を主成分とするファイバーと、Ti,Zr,NbもしくはAlの中から選択された材料の酸化物からなる層、またはTi,ZrもしくはNbの中から選択された材料の酸化物半導体からなる層と、を備え、前記炭素を主成分とするファイバーは、前記層上に配置されており、且つ、その一部にPdを有することを特徴とする電子放出素子。
IPC (4):
H01J 1/304
, H01J 1/30
, H01J 9/02
, H01J 31/12
FI (4):
H01J 9/02 B
, H01J 31/12 C
, H01J 1/30 F
, H01J 1/30 A
F-Term (10):
5C035AA20
, 5C035BB01
, 5C036EE01
, 5C036EE14
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EF09
, 5C036EG12
, 5C036EH04
, 5C036EH11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-276426
Applicant:キヤノン株式会社
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気相成長炭素繊維の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-259030
Applicant:キヤノン株式会社
-
カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-305512
Applicant:キヤノン株式会社
-
水素吸蔵体及び水素吸蔵体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-372382
Applicant:株式会社東芝
-
電界電子放出素子用エミッタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-039891
Applicant:ホーヤ株式会社
-
カーボンナノチューブの製法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-161292
Applicant:キヤノン株式会社
-
カ-ボンナノチュ-ブの製造方法および製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-008392
Applicant:伊勢電子工業株式会社
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