電界電子放出素子用エミッタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村静男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996039891
Publication number (International publication number)：1997237565
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】先鋭化加工の難しい炭化珪素をエミッタ材として用いて、高い電流密度に対してエミッタの形状変化が起こりにくく、電界電子放出素子としての安定性が著しく高く、電子放出に要する電圧を低くすることができ、さらに結晶多形や面方位の違いに基づく仕事関数の不均一性を制御することが可能であり、エミッタから放出される電流密度が外部からの熱や光の影響を受けない電界電子放出素子用エミッタを提供する。【解決手段】炭化珪素に該炭化珪素の伝導型を支配する元素が添加された材料からなることを特徴とする電界電子放出素子用エミッタ、それを有する電界電子放出素子。

Claim (excerpt)：

炭化珪素に該炭化珪素の伝導型を支配する元素が添加された材料からなることを特徴とする電界電子放出素子用エミッタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

合成半導体及び制御されたそのドーピング
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038991 Applicant：オハイオエアロスペースインスティチュート
絶縁ゲート形トランジスタの駆動方法と絶縁ゲート形トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-076309 Applicant：株式会社日立製作所
炭化けい素半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-141337 Applicant：富士電機株式会社

Show all

Return to Previous Page