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J-GLOBAL ID：200903039444081294
強磁性トンネル接合磁気センサ、その製造方法、磁気ヘッド、および磁気記録/再生装置
Inventor：
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,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998060069
Publication number (International publication number)：1999168249
Application date： Mar. 11, 1998
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：
【要約】【課題】 磁気抵抗変化率が大きく、耐熱性の高い強磁性トンネル接合磁気センサを提供する。【解決手段】 強磁性トンネル接合のトンネル絶縁膜を、厚さが1.7nm以下の非磁性金属の表面酸化により形成し、さらに200〜300°Cで加熱処理を行い、下側強磁性層表面の酸素を前記非磁性金属により吸収する。
Claim (excerpt)：
第1の強磁性層と、前記第1の強磁性層上に形成され、トンネル酸化膜を含む絶縁障壁層と、前記絶縁障壁層上に形成された第2の強磁性層とを備えた強磁性トンネル接合磁気センサにおいて、前記絶縁障壁層は金属層を含み、前記トンネル酸化膜は前記金属層表面上に、前記金属層を構成する金属元素の酸化物により形成されており、前記絶縁障壁層は、約1.7nm以下で、前記トンネル酸化膜を構成する酸化物に換算した場合の厚さが1分子層以上の厚さを有することを特徴とする強磁性トンネル接合磁気センサ。
IPC (4)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/00
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/00
, H01L 43/12
Cited by examiner (6)
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強磁性トンネル素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-259938
Applicant：富士通株式会社
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特開平4-162207
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特開平4-211106
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