磁気抵抗ランダムアクセスメモリ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998374575
Publication number (International publication number)：2000195251
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】高密度の磁気抵抗ランダムアクセスメモリを提供する。【解決手段】上磁性層11と前記上磁性層11の下面に形成されたバリア膜10と前記上磁性層11及び前記バリア膜10が複数形成された下磁性層9とを有する磁気トンネル抵抗素子2と、前記磁気トンネル抵抗素子2の上面に接続された上部電極4と、前記磁気トンネル抵抗素子2の下面に接続された下部電極3と、を有する。

Claim (excerpt)：

上磁性層と前記上磁性層の下面に形成されたバリア膜と前記上磁性層及び前記バリア膜が複数形成された下磁性層とを有する磁気トンネル抵抗素子と、前記磁気トンネル抵抗素子の上面に接続された上部電極と、前記磁気トンネル抵抗素子の下面に接続された下部電極と、を有することを特徴とする磁気抵抗ランダムアクセスメモリ。

IPC (2)：

G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (2)：

G11C 11/15 , H01L 43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-058777 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-367280 Applicant：株式会社東芝
複数の接合部を有する安定した磁気トンネル・デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-026291 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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