反射防止コーティング用組成物

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鐘尾宏紀 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998154344
Publication number (International publication number)：1999349857
Application date： Jun. 03, 1998
Publication date： Dec. 21, 1999
Summary：

【要約】【目的】レジストの種類、基板の表面形状を問うことなく、少量の滴下量でレジスト膜上に均一にコーティングでき、定在波効果、多重反射効果、露光後の放置時間の経過によりもたらされるT字型パターン形状及びパターンの寸法変動の発生のない反射防止コーティング用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。【構成】基板上に形成されたフォトレジスト膜上に、少なくとも下記(A)、(B)、(C)、(D)及び(E)を含有し、且つpHが1.3〜3.3である反射防止コーティング用組成物を塗布して反射防止膜を形成した後、露光、現像してレジストパターンを得る。(A)一般式 Cn F2n+1SO3 H(式中、nは4〜8の整数を示す。)で表されるパーフルオロアルキルスルホン酸(B)有機アミン(C)水溶性重合体(D)一般式 Cn F2n+1SO2 NH2 (式中、nは1〜8の整数を示す。)で表されるパーフルオロアルキルスルホンアミド(E)水

Claim (excerpt)：

少なくとも下記(A)、(B)、(C)、(D)及び(E)を含有し、且つpHが1.3〜3.3であることを特徴とする反射防止コーティング用組成物。(A)一般式Cn F2n+1SO3 H (I)(式中、nは4〜8の整数を示す。)で表されるパーフルオロアルキルスルホン酸(B)有機アミン(C)水溶性重合体(D)一般式Cn F2n+1SO2 NH2 (II)(式中、nは1〜8の整数を示す。)で表されるパーフルオロアルキルスルホンアミド(E)水

IPC (7)：

C09D 5/00 , C09D 7/12 , C09D133/02 , C09D139/06 , G03F 7/004 506 , G03F 7/11 503 , H01L 21/027

FI (7)：

C09D 5/00 M , C09D 7/12 Z , C09D133/02 , C09D139/06 , G03F 7/004 506 , G03F 7/11 503 , H01L 21/30 574

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

レジスト表面反射防止膜形成性組成物及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-126265 Applicant：三菱化成株式会社
反射防止コーティング用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-129056 Applicant：ヘキストインダストリー株式会社

Cited by examiner (2)

レジスト表面反射防止膜形成性組成物及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-126265 Applicant：三菱化成株式会社
反射防止コーティング用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-129056 Applicant：ヘキストインダストリー株式会社

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