強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：片山修平 , 横山照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007078925
Publication number (International publication number)：2008243922
Application date： Mar. 26, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。【解決手段】本発明は、反応抑制層14上に形成された半導体層16上に磁性元素層20を形成する工程と、半導体層16と磁性元素層20とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層14上にホイスラー合金層26である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

反応抑制層上に形成された半導体層上に磁性元素層を形成する工程と、前記半導体層と前記磁性元素層とを熱処理し反応させることにより、前記反応抑制層上にホイスラー合金である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法。

IPC (10)：

H01F 10/30 , H01L 29/82 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01F 10/32 , C22C 19/07 , C22C 30/00 , C22F 1/10 , C23C 14/58 , H01F 41/14

FI (10)：

H01F10/30 , H01L29/82 Z , H01L29/78 616J , H01L29/78 622 , H01F10/32 , C22C19/07 C , C22C30/00 , C22F1/10 B , C23C14/58 A , H01F41/14

F-Term (44)：

4K029AA04 , 4K029AA06 , 4K029BA06 , 4K029BA09 , 4K029BA21 , 4K029BA35 , 4K029BB02 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029DB03 , 4K029GA01 , 5E049AA10 , 5E049BA29 , 5E049DB14 , 5E049EB03 , 5E049HC01 , 5E049JC01 , 5F092AA11 , 5F092AC24 , 5F092BD05 , 5F092BD15 , 5F092BD20 , 5F092BD22 , 5F092BD24 , 5F092CA25 , 5F110AA30 , 5F110BB13 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ14 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK32 , 5F110HK40 , 5F110HK42

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-037514 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
アンチモン化インジウム(InSb)層形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-235817 Applicant：株式会社エスケーエム
スピン注入FET
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-101531 Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

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