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J-GLOBAL ID：200903039614001053

機能素子パッケージ

Inventor： 秦 昌平 ,  松嶋 直樹 ,  坂本 英次 ,  岡田 亮二 ,  青野 宇紀 ,  風間 敦 ,  木田 年紀
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Agent (1)： ポレール特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007055860
Publication number (International publication number)：2008218811
Application date： Mar. 06, 2007
Publication date： Sep. 18, 2008
Summary：

【課題】はんだ接合により機能素子をウェハレベルで気密封止する構造において、はんだの濡れ性に優れ、接合性の高い接合構造を提供し、製造歩留りを向上させ、安価な機能素子パッケージを提供する。【解決手段】機能素子と、内部表面にメタライズ22Aが施された凹部25を形成した第1のSi基板1と、凹部25に対向する位置にメタライズ22Bを施した第2のSi基板5とを備え、第1のSi基板1に形成された凹部25の内部表面に施されたメタライズ22Aと、凹部25に対向する第2のSi基板5の位置に施されたメタライズ22Bとの間をはんだ23を溶融して接続し、第1のSi基板1と第2のSi基板5とを接合して前記機能素子を気密封止する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

機能素子と、 内部表面にメタライズが施された凹部を形成した第1のSi基板と、 前記凹部に対向する位置にメタライズを施した第2のSi基板とを備え、 前記第1のSi基板に形成された前記凹部の内部表面に施されたメタライズと、前記凹部に対向する前記第2のSi基板の位置に施されたメタライズとの間をはんだを溶融して接続し、前記第1のSi基板と第2のSi基板とを接合して前記機能素子を気密封止したことを特徴とする機能素子パッケージ。

IPC (1)：

H01L 23/02

FI (1)：

H01L23/02 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体集積回路の気密封止パッケージ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-108423   Applicant：福島日本電気株式会社
• マイクロパッケージとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-022179   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (1)

• 光電子デバイスのウェハレベルパッケージおよびパッケージング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-271043   Applicant：アジレント・テクノロジーズ・インク