Pat

J-GLOBAL ID：200903039647122476

半導体放射線検出装置

Inventor： 小川 伸子 ,  小川 美之
Applicant, Patent owner： ジーイー横河メディカルシステム株式会社
Agent (1)： 有近 紳志郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993148174
Publication number (International publication number)：1995012947
Application date： Jun. 21, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 時間経過とともに検出出力が低下することを防止する。【構成】 サンフ ゚リンク ゙スイッチSSがオフ,リセットスイッチDSがオンの状態で、X線照射を開始し、同時にバイアス用電極3に第1バイアス電圧(バイアス)を印加する。その第1バイアス電圧を印加した直後の過渡状態が終わった後、リセットスイッチDSをオフにし、検出電流iでコンデンサCを充電する。所定時間充電後にサンフ ゚リンク ゙スイッチSSをオンして、その時の検出出力電圧Vをデータ収集系で読み出す。次に、サンフ ゚リンク ゙スイッチSSをオフし、リセットスイッチDSをオンし、同時にバイアス用電極3に第2バイアス電圧(逆バイアス)を印加して半導体結晶ブロック1内に蓄積された電荷を引き抜く。それから、バイアス用電極3に第1バイアス電圧を印加する。その第1バイアス電圧を印加した直後の過渡状態が終わった後、リセットスイッチDSをオフにし、検出電流iでコンデンサCを充電する。これを繰り返す。【効果】 時間経過とともに検出出力が低下することを防止でき、安定した検出出力が得られる。

Claim (excerpt)：

放射線に対して有感な半導体結晶ブロックの一方の面にバイアス用電極を設置し他方の面に信号取出用電極を設置した半導体放射線検出器と、前記バイアス用電極に第1バイアス電圧を印加するか又は前記第1バイアス電圧に対して相対的に負の第2バイアス電圧を切換印加する電圧切換印加手段と、放射線の照射中に前記バイアス用電極に前記第2バイアス電圧を1回以上印加するように前記電圧切換印加手段を制御する制御手段とを具備したことを特徴とする半導体放射線検出装置。

IPC (2)：

G01T 1/24 ,  H01L 31/09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 測定データ補正法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-312080   Applicant：松下電器産業株式会社
• 放射線検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-163834   Applicant：株式会社ジャパンエナジー