半導体装置の多層配線構造体の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994287741
Publication number (International publication number)：1996148563
Application date： Nov. 22, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】配線材料の種類に限定が無く、配線の厚さが均一であり、さらに電気的接続性にすぐれた高信頼性の多層配線構造体の形成方法を提供すること。【構成】半導体基板1の表面の酸化シリコン膜2上液相成長法によってフッ素含有酸化シリコン膜4Aを選択的に形成して配線溝を形成し、導電膜を形成し、エッチバック/または化学・機械研磨を行ない第一の配線層を形成し、酸化シリコン膜10、フッ素含有酸化シリコン膜12を形成することによりビアホールを形成し、ビアホールを導電膜で埋めた後、第二の金属配線層を第一の配線層と同様に形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に形成された酸化シリコンを主成分とする第一の絶縁膜上の所定の位置に、第一のレジスト膜パターンを形成し、過飽和のケイフッ化水素酸水溶液中に浸漬して前記第一のレジスト膜パターンをマスクとして酸化シリコンを堆積させた後前記第一のレジスト膜を除去することによって第一の配線溝を有するフッ素含有酸化シリコン膜でなる第二の絶縁膜を形成し、前記第一の配線溝部を含む全面に第一の導電膜を形成し、ドライエッチングおよびまたは化学・機械研磨法によって前記第一の配線溝内を除き前記第一の導電膜を除去することにより第一の配線層を形成する工程と、酸化シリコンを主成分とする下地膜を全面に堆積した後前記第一の配線層の上方を選択的に被覆する第二のレジスト膜パターンを形成し、過飽和のケイフッ化水素酸水溶液中に浸漬して前記第二のレジスト膜パターンをマスクとして酸化シリコンを堆積させた後前記第二のレジスト膜パターンを除去することによって所定の開口を有するフッ素含有酸化シリコン膜を形成し、反応性イオンエッチングによって前記開口部に露出する前記下地膜を除去することによってビアホールを有する第三の絶縁膜を形成する工程と、前記ビアホール内に第二の導電膜を選択的に形成する工程と、前記ビアホール内の第二の導電膜の表面を被覆する第三のレジスト膜パターンを形成し、過飽和のケイフッ化水素酸水溶液中に浸漬して前記第三のレジスト膜パターンをマスクとして酸化シリコンを析出させた後前記第三のレジスト膜を除去することによって第二の配線溝を有するフッ素含有酸化シリコン膜でなる第四の絶縁膜を形成し、前記第二の配線溝部を含む全面に第三の導電膜を形成し、ドライエッチングおよびまたは化学・機械研磨法によって前記第二の配線溝内を除き前記第三の導電膜を除去することにより第二の配線層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の多層配線構造体の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 B , H01L 21/88 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-048596 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-105669 Applicant：株式会社東芝

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