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J-GLOBAL ID：200903039736882875

集積回路ダイ及びその製造方法

Inventor：
リチャード・ケイ・ウィリアムズ

About リチャード・ケイ・ウィリアムズ


Applicant, Patent owner：
シリコニックス・インコーポレイテッド

About シリコニックス・インコーポレイテッド


Agent (1)： 大島 陽一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995353915
Publication number (International publication number)：1996264785
Application date： Dec. 28, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：
【要約】【課題】 内部バスその他の導電経路の抵抗が小さい集積回路ダイ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明によると、上面のバスその他の導電経路上に比較的厚い金属ストラップ層が形成される。金属ストラップ層は、バスなどの上部を覆うパッシベーション層をエッチングして縦方向の溝を形成し、この溝内に於いて厚い金属層をめっきすることにより形成される。ニッケルをメッキすることが好ましい。金属ストラップ層によって、バスの抵抗を大幅に減少させることができる。
Claim (excerpt)：
集積回路ダイであって、第1金属導電経路と、前記第1金属導電経路の表面上に形成された第1金属ストラップ層と、当該ダイの表面上に横方向に延在するパッシベーション層とを含み、前記第1金属導電経路と前記第1金属ストラップ層は、当該ダイについて概ね横方向に電流を流すためのものであり、前記第1金属ストラップ層が前記パッシベーション層を横切っていることを特徴とする集積回路ダイ。
IPC (4)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (4)：
H01L 29/78 652 M ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 M ,  H01L 27/08 102 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
  • 特開昭60-225467
  • 特開平1-238174
  • 特開平4-111324
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