Pat
J-GLOBAL ID:200903039769587992
電極配設基体及びその電極接合方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
渡邉 勇
, 堀田 信太郎
, 小杉 良二
, 森 友宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002292868
Publication number (International publication number):2004128357
Application date: Oct. 04, 2002
Publication date: Apr. 22, 2004
Summary:
【課題】例えば半導体装置の実装技術における、更なる高集積・高密度化の要請に応えることができ、しかもPbを含まない接合材料を用いて、例えば、ステップ接合の第1ステップの接合等を行えるようにする。【解決手段】多数の電極を有する基体42であって、平均直径が100nm程度以下の金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を主材とする接合材料40によって、基体42の電極を他の基体46に設けた電極44に接合するようにした。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
多数の電極を有する基体であって、平均直径が100nm程度以下の金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を主材とする接合材料によって、前記基体の電極を他の基体に設けた電極に接合するようにしたことを特徴とする電極配設基体。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
半導体素子の実装方法及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-351796
Applicant:株式会社荏原製作所
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-294132
Applicant:松下電器産業株式会社
-
金属ペーストの焼成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-130366
Applicant:日本真空技術株式会社
-
フリップチップ実装方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-247682
Applicant:松下電器産業株式会社
-
突起電極形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-329546
Applicant:太陽誘電株式会社
Show all
Return to Previous Page