不揮発性フラッシュメモリの制御方法とその装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高月猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993298149
Publication number (International publication number)：1995153285
Application date： Nov. 29, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】不揮発性フラッシュメモリの使用寿命を長くすることを目的とする。【構成】 CPU1は、全体の制御を行う。アドレスデコードRAM4は、CPU1から出力されるフラッシュメモリアドレスのブロック&ページ・アドレス8を、フラッシュメモリ5に対するブロック&ページ・アドレス10に変換する。フラッシュメモリの下位アドレス9はフラッシュメモリ5に与えられる。この構成で、CPU1から与えられるブロック&ページ・アドレス8を、ブロック&ページ・アドレス10に変換しフラッシュメモリをアクセスする。RAM3に、フラッシュメモリ5の各ぺージに対応する書込み頻度計数記憶領域を設定し、書き込み発生頻度を所定の期間計測する。RAM3の各ぺージに対応する書込み頻度をチェックし、フラッシュメモリの各ブロックに対する書込み回数が一様になるよう各ページを割り当て、アドレスデコードRAM4に設定する。

Claim (excerpt)：

不揮発性フラッシュメモリの各記憶単位に対する書込み回数を計数する計数工程と、所定数の記憶単位を含む各ブロックに対する書込み回数が一様になるように、各ブロックに対する前記記憶単位の割当を決定する割当工程と、前記決定された各記憶単位の割当に基づいて、前記記憶単位の論理記憶単位アドレスを物理記憶単位アドレスに変換する変換工程と、を備えることを特徴とする不揮発性フラッシュメモリの制御方法。

IPC (2)：

G11C 16/06 , G06F 12/16 310

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-222997
記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-232934 Applicant：株式会社日立製作所
半導体ディスク装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-244713 Applicant：株式会社東芝

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