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J-GLOBAL ID：200903039805080182

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
西郷 伸吾

About 西郷 伸吾


Applicant, Patent owner：
鹿児島日本電気株式会社

About 鹿児島日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001224752
Publication number (International publication number)：2003037269
Application date： Jul. 25, 2001
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】オフリーク特性悪化の原因となるバックチャネル部に付着しているフッ素を除去するために、バックチャネル部に対して水素プラズマを用いた低プラズマ密度処理を行うと、バックチャネル部を覆う窒化膜が、下地膜との界面においてSi-H結合が増加した膜質となり、特に、窒化膜の下にITO膜が在って、ITO膜上の窒化膜に開口部を形成する場合には、バッファード弗酸(BHF)によるエッチングで窒化膜が逆テーパー状にエッチングされるエッチング異常(開口部の外観不良)が生じる。【解決手段】水素プラズマ処理の後、水素ガスを十分排気するために窒素プラズマ処理を行い、続いて窒素含有ガスでパッシベーション膜9の成膜初期から水素ガスを含まないパッシベーション膜9を形成する。このため、その下に形成されるITO膜7とパッシベーション膜9との密着性が改善される。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された半導体領域を活性領域とする薄膜トランジスタの製造方法において、前記半導体領域の一部をエッチング除去して前記半導体領域にバックチャネル部を形成するバックチャネル形成工程と、前記バックチャネル部表面に残留するフッ素成分を第1のガスを用いた第1プラズマ処理により除去する第1プラズマ処理工程と、前記第1プラズマ処理工程において前記半導体領域を含む前記基板の表面に残留する前記第1のガスの成分を第2のガスを用いた第2プラズマ処理により除去する第2プラズマ処理工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  C23C 16/42 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/318
FI (5)：
C23C 16/42 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 619 A
F-Term (59)：
2H092HA04 ,  2H092JA26 ,  2H092JB57 ,  2H092KB24 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA19 ,  2H092MA35 ,  2H092NA18 ,  2H092NA21 ,  4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094ED15 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F058BA10 ,  5F058BC08 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BH13 ,  5F058BJ03 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF30 ,  5F110GG45 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL07 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN39 ,  5F110QQ09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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