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J-GLOBAL ID：200903039810349939

半導体装置と半導体装置製造方法

Inventor： 加地 徹 ,  石黒 修 ,  杉本 雅裕
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005280485
Publication number (International publication number)：2007095823
Application date： Sep. 27, 2005
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：

【課題】 III-V族化合物半導体を利用する半導体装置に関し、特に、半導体領域に含まれるp型不純物が、隣接する他の半導体領域に拡散する現象を効果的に抑制する半導体装置を提供する。【解決手段】 Mgがドープされた窒化ガリウム・アルミニウム(Al0.05Ga0.95N)から構成されるp+型の半導体領域14と、Siがドープされた窒化ガリウム・アルミニウム(Al0.05Ga0.95N)から構成されるn-型の半導体領域12と、p+型の半導体領域14とn-型の半導体領域12の間に形成され、窒化アルミニウム(AlN)から構成される不純物拡散抑制領域13を備えている。不純物拡散抑制領域13を構成する半導体のAl原子の組成比は、p+型の半導体領域14のAl原子の組成比よりも大きい【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

p型不純物を含み第1のIII-V族化合物半導体から構成される第1半導体領域と、 第2のIII-V族化合物半導体から構成される第2半導体領域と、 前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との間に形成されているとともに、アンドープの第3のIII-V族化合物半導体から構成される第3半導体領域とを備え、 前記第3のIII-V族化合物半導体のAlの組成比は、前記第1のIII-V族化合物半導体のAl組成比よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/861 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80

FI (5)：

H01L29/91 F ,  H01L33/00 C ,  H01L29/91 H ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 V

F-Term (21)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CB36 ,  5F102FA03 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR06 ,  5F102GR13 ,  5F102GR17 ,  5F102GS03 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092017   Applicant：豊田合成株式会社

Cited by examiner (3)

• III族窒化物半導体結晶、その製造方法、III族窒化物半導体エピタキシャルウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-301065   Applicant：昭和電工株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-277640   Applicant：シャープ株式会社
• III族窒化物半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-265854   Applicant：日本電気株式会社