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J-GLOBAL ID：200903033326809528

III族窒化物半導体素子およびその製造方法

Inventor：
笹岡 千秋

About 笹岡 千秋


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001265854
Publication number (International publication number)：2003078215
Application date： Sep. 03, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】III族窒化物半導体を容易に加工することのできる技術を提供するとともに、これにより実現される新規な素子構造を提供する。【解決手段】電流狭窄層308を以下のプロセスにより形成する。低温堆積により非結晶層を形成した後、エッチングにより開口部を設ける。その後、非結晶層形成温度よりも高い温度でp型クラッド層309より上部の層を形成することにより、非結晶層を結晶層に変換する。非結晶層の形成温度を約400°C、p型クラッド層309より上部の層の形成温度を1100°C程度とする。
Claim (excerpt)：
下地層の上にIII族窒化物半導体の非結晶層を形成する工程と、前記非結晶層の少なくとも一部をエッチングする工程と、前記非結晶層を、前記非結晶層の形成温度よりも高い温度で熱処理し、結晶層に変換する工程と、を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (6)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (4)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H
F-Term (74)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F045DB02 ,  5F045EE12 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14 ,  5F045HA16 ,  5F052AA11 ,  5F052CA00 ,  5F052DA09 ,  5F052DB01 ,  5F052FA02 ,  5F052JA10 ,  5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB14 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA22 ,  5F073EA29 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL12 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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