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J-GLOBAL ID：200903039816393840

酸化珪素膜の形成方法及びその装置

Inventor：
屋良 卓也

About 屋良 卓也


Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社

About 積水化学工業株式会社


Agent (1)： 河備 健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000369493
Publication number (International publication number)：2002176050
Application date： Dec. 05, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体素子の製造工程におけるシリコンウェーハ表面への酸化珪素膜の形成において、低温でシリコンウェーハを酸化して、シリコンウェーハ表面に良質の酸化珪素膜の形成方法及びその装置の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に酸素含有ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマをシリコンウェーハに接触させ、シリコンウェーハ表面に酸化珪素膜を形成する方法及び装置。
Claim (excerpt)：
大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に酸素含有ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマをシリコンウェーハに接触させ、シリコンウェーハ表面に酸化珪素膜を形成する方法。
IPC (2)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (2)：
H01L 21/316 A ,  H01L 21/31 A
F-Term (25)：
5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045DP23 ,  5F045DQ16 ,  5F045EE14 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EH20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 積層膜の形成方法及びその形成装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-186314   Applicant：積水化学工業株式会社
  • 成膜方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-172147   Applicant：株式会社東芝

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