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J-GLOBAL ID：200903039850897858

II-VI族化合物半導体発光素子

Inventor： 石橋 晃 ,  伊藤 哲 ,  奥山 浩之 ,  中野 一志 ,  近藤 憲治 ,  武石 玲子
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994275285
Publication number (International publication number)：1996018168
Application date： Nov. 09, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体発光素子の長寿命化を図る。【構成】 II-VI族化合物半導体発光素子において、p側クラッド層6の活性層側の部分26を低不純物ドープ領域にして構成する。

Claim (excerpt)：

p側クラッド層の活性層側を低不純物ドープ領域又はノンドープ領域としてなることを特徴とするII-VI族化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-330916   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-229356   Applicant：ソニー株式会社