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J-GLOBAL ID：200903039860729120

GaN系化合物半導体装置

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998234548
Publication number (International publication number)：2000068497
Application date： Aug. 20, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電子移動度の高いGaN系化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 GaN系化合物半導体から成り2次元電子ガス層が形成される活性層2と、活性層2の上層にn型不純物を拡散したGaNまたはAlGaNにAsおよび/またはPが1×1018〜1×1020cm-3の濃度でドープされて成る電子供給層1を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

GaN系化合物半導体から成り2次元電子ガス層が形成される活性層と、前記活性層の上層にn型不純物を拡散したGaNまたはAlGaNにAsおよび/またはPが1×1018〜1×1020cm-3の濃度でドープされて成る電子供給層を有することを特徴とするGaN系化合物半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/205

FI (3)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/203 M ,  H01L 29/205

F-Term (26)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F103AA04 ,  5F103AA05 ,  5F103BB05 ,  5F103BB08 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103KK01 ,  5F103LL08 ,  5F103LL09 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高電子移動度トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-343405   Applicant：古河電気工業株式会社
• 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-045809   Applicant：シャープ株式会社