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J-GLOBAL ID：200903039932309512

光導波路型偏光子

Inventor：
碓氷 光男

About 碓氷 光男

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渡辺 俊夫

About 渡辺 俊夫

, 
疋田 真

About 疋田 真


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998158224
Publication number (International publication number)：1999352348
Application date： Jun. 05, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 伝搬光のTEモードとTMモードとを分離する機能を有し、光導波路回路等との集積化が容易で、挿入損失が小さく、かつ高い偏波消光比を示す光導波路型偏光子を安価に提供する。【解決手段】 高分子光導波路により構成される光導波路型偏光子であって、コア1またはクラッド2が、フェニル基を側鎖に有するポリシロキサンを用いて形成されていることを特徴とする光導波路型偏光子。
Claim (excerpt)：
高分子光導波路により構成される光導波路型偏光子であって、コアまたはクラッドが、下記一般式(I)又は(II)で表わされる繰り返し単位を有するポリシロキサン、下記一般式(I)および(II)で表わされる繰り返し単位の共重合体であるポリシロキサン、およびそれらポリシロキサンの混合物よりなる群から選ばれたポリシロキサンからなることを特徴とする光導波路型偏光子。【化1】式中、R1、R2は、CnY2n+1(Yは水素、重水素もしくはハロゲンを表わし、nは5以下の正の整数を表わす)で表わされるアルキル基、重水素化アルキル基またはハロゲン化アルキル基、あるいはC6Y5(Yは水素、重水素もしくはハロゲンを表わす)で表わされるフェニル基、重水素化フェニル基またはハロゲン化フェニル基から選ばれた任意の基を表わす。ただし、R1、R2のうち少なくとも一方は上記式C6Y5で表わされる基である。
IPC (5)：
G02B 6/126 ,  G02B 1/08 ,  G02B 5/30 ,  G02B 6/12 ,  C08G 77/04
FI (5)：
G02B 6/12 E ,  G02B 1/08 ,  G02B 5/30 ,  C08G 77/04 ,  G02B 6/12 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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