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J-GLOBAL ID：200903039934166000

鉛を含まない化学的ニッケル合金

Inventor： ホレンダー, アルフォンス ,  ベッカー, ハインツ-ペーター
Applicant, Patent owner： アーハーツェー オーバーフレッヒェンテヒニーク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフト ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト
Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002537928
Publication number (International publication number)：2004512429
Application date： Oct. 25, 2001
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

ニッケル、リン、ビスマスおよびアンチモンを含有する、鉛を含まない、化学的に作製されたニッケル合金、水性電解質における外部無電解金属沈着によって、このようなニッケル合金を作製するための方法、およびそれによってメッキされた物品。金属基材表面に存在する鉛を含まないニッケル合金であって、該合金は、該ニッケル合金の全構成成分に基づいて、ニッケル、リン、最大で0.4重量%の割合のビスマス、および、少なくとも1重量%の割合のアンチモンを含有する。

Claim (excerpt)：

金属基材表面に存在する鉛を含まないニッケル合金であって、該合金は、該ニッケル合金の全構成成分に基づいて、以下: ・ニッケル ・リン ・最大で0.4重量%の割合のビスマス、および ・少なくとも1重量%の割合のアンチモン を含有する、ニッケル合金。

IPC (3)：

C22C19/03 ,  C23C18/34 ,  H05K3/18

FI (3)：

C22C19/03 L ,  C23C18/34 ,  H05K3/18 F

F-Term (13)：

4K022AA02 ,  4K022AA42 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA28 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB04 ,  4K022DB07 ,  4K022DB08 ,  5E343BB44 ,  5E343DD33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• アルミニウム又はアルミニウム合金上への無電解ニッケルめっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-303027   Applicant：上村工業株式会社
• メモリーハードディスクの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-303026   Applicant：上村工業株式会社

Cited by examiner (2)

• アルミニウム又はアルミニウム合金上への無電解ニッケルめっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-303027   Applicant：上村工業株式会社
• メモリーハードディスクの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-303026   Applicant：上村工業株式会社