III族窒化物基板の製造方法および半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004075103
Publication number (International publication number)：2005012171
Application date： Mar. 16, 2004
Publication date： Jan. 13, 2005
Summary：

【課題】転位密度が小さいIII族窒化物基板を製造することが可能な製造方法およびそれを用いて製造される半導体装置を提供する。【解決手段】窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とをアルカリ金属融液中で反応させてIII族窒化物結晶を生成させ成長させるIII族窒化物基板の製造方法であって、予め準備されたIII族窒化物半導体層の複数の部分を、III族窒化物結晶の生成および成長の少なくとも1つのための種結晶として選択し、前記融液に前記種結晶の表面を接触させる製造方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とをアルカリ金属融液中で反応させてIII族窒化物結晶を生成させ成長させるIII族窒化物基板の製造方法であって、予め準備されたIII族窒化物半導体層の複数の部分を、III族窒化物結晶の生成および成長の少なくとも1つのための種結晶として選択し、前記融液に前記種結晶の表面を接触させる製造方法。

IPC (3)：

H01L21/208 , C30B11/06 , C30B29/38

FI (3)：

H01L21/208 D , C30B11/06 , C30B29/38 D

F-Term (25)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077CG02 , 4G077EA06 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA11 , 4G077QA34 , 4G077QA71 , 4G077QA74 , 5F053AA03 , 5F053BB52 , 5F053BB53 , 5F053GG01 , 5F053GG05 , 5F053HH04 , 5F053LL02 , 5F053LL03 , 5F053PP07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

GaN単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-097551 Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (1)

III族窒化物基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-425632 Applicant：松下電器産業株式会社

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