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J-GLOBAL ID：200903045251059763

III族窒化物基板の製造方法

Inventor：
北岡 康夫

About 北岡 康夫

, 
峯本 尚

About 峯本 尚

, 
木戸口 勲

About 木戸口 勲

, 
石橋 明彦

About 石橋 明彦


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003425632
Publication number (International publication number)：2004247711
Application date： Dec. 22, 2003
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：
【課題】 良質なIII族窒化物結晶のみからなり反りが小さい基板を製造できる製造方法を提供する。 【解決手段】 基板(サファイア基板11)の上に、空隙を備えるIII族窒化物層(シード層12および選択成長層15)を形成し、窒素を含む雰囲気において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも一つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融解液に上記III族窒化物層の表面を接触させることによって、上記少なくとも1つのIII族元素と窒素とを反応させて上記III族窒化物層上にIII族窒化物結晶(GaN結晶16)を成長させ、上記基板を含む部分と上記III族窒化物結晶を含む部分とを、上記空隙の近傍において分離する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
(i)基板上に、空隙を備えるIII族窒化物層を形成する工程と、 (ii)窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に前記III族窒化物層の表面を接触させることによって、前記少なくとも1つのIII族元素と窒素とを反応させて前記III族窒化物層上にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、 (iii)前記基板を含む部分と前記III族窒化物結晶を含む部分とを、前記空隙の近傍において分離する工程とを含むIII族窒化物基板の製造方法。
IPC (4)：
H01L21/208 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (4)：
H01L21/208 D ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
F-Term (28)：
5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F052DA04 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F053AA03 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053PP12 ,  5F053RR20 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • GaN単結晶の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-097551   Applicant：科学技術振興事業団
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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