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J-GLOBAL ID：200903040120749649

結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法

Inventor： 砂川 晴夫 ,  松本 良成 ,  碓井 彰
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999301158
Publication number (International publication number)：2001122693
Application date： Oct. 22, 1999
Publication date： May. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】工程の煩雑化を招くことなく、異種材料基板上に形成されるエピタキシャル結晶層の結晶欠陥を大幅に低減すること。【解決手段】(0001)面サファイア(Al2O3)基板11上に、GaN膜12を形成した後、ウエットエッチングによりGaN膜12を島状に残す。この島状のGaN膜12は上部が単結晶層により構成されている。この島状のGaN膜12が残存した状態で、エピタキシャル成長を行うことにより、結晶欠陥の少ないGaN膜15を得る。

Claim (excerpt)：

エピタキシャル結晶層を成長させるための下地として用いられる結晶成長用下地基板であって、前記エピタキシャル結晶層と異なる結晶系の下地基板と、前記下地基板上に離間して形成された複数の島状結晶とを有し、前記島状結晶は、前記エピタキシャル結晶層と同じ結晶系の単結晶層を含んでなることを特徴とする結晶成長用下地基板。

IPC (4)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306

FI (4)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 B

F-Term (30)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EE02 ,  4G077TK04 ,  5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043DD01 ,  5F043DD07 ,  5F043FF01 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF20 ,  5F045BB01 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-197598   Applicant：昭和電工株式会社
• 窒化物化合物半導体層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-240343   Applicant：昭和電工株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-322132   Applicant：豊田合成株式会社
• 化合物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-094812   Applicant：住友金属工業株式会社
• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-216110   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-218122   Applicant：日亜化学工業株式会社