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J-GLOBAL ID：200903040128030341

半導体素子の実装方法

Inventor：
並木 智雄

About 並木 智雄


Applicant, Patent owner：
ミヨタ株式会社

About ミヨタ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000272501
Publication number (International publication number)：2002083842
Application date： Sep. 08, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体素子の実装方法を簡素化し、より小型の半導体素子を得る。【解決手段】 前記課題を解決するため、本発明では、ヒーターが内蔵されたX・Yステージの上に集積回路が形成されている半導体素子ウエハーを固定し、続いて前記半導体素子ウエハーの上に異方性導電膜で半導体素子ウエハー全面を覆うように張り合わせる。次にプレス機の先端には基板吸着ヘッドが設けられており、前記吸着ヘッドに回路基板を吸着させ、プレス機の先端が下降する事によりX・Yステージに固定してある半導体素子ウエハーと電気的に接続させる。前記半導体素子ウエハーと電気的に接続された回路基板をダイヤモンドブレード等を用いて個々に分割する半導体素子の実装方法とする。
Claim (excerpt)：
電極及び配線パターンが配設された回路基板をプレス機の先端に固定した基板吸着ヘッドに装着し、続いて異方性導電膜を張り合わせた集積回路が形成された半導体素子ウエハーをX・Yステージ上に固定し、前記回路基板と前記半導体素子ウエハーに温度と圧力を同時に加えながら前記回路基板の端子と前記半導体素子ウエハー上の電極とを電気的に接合する事を特徴とする半導体素子の実装方法。
IPC (3)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/12
FI (3)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/78 L ,  H01L 23/12 Z
F-Term (2)：
5F044KK01 ,  5F044LL09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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