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J-GLOBAL ID：200903040171301170

低誘電率材料、層間絶縁膜及びIC基板

Inventor： 松崎 洋市 ,  野上 敦嗣 ,  山田 紀子 ,  片山 真吾
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997092486
Publication number (International publication number)：1998287414
Application date： Apr. 10, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、LSI 用層間絶縁膜、IC基板などに利用される、比誘電率が3.0未満の低誘電率材料を提供するものである。【解決手段】 -M-O- (MはB ,Al,Si,Ti,Ge,Y ,Zr, Nb, Taの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素)をユニットとする主鎖を有する高分子材料において、主鎖の主たる部分の分子構造を、分子構造(1):環状構造、分子構造(2):梯子状構造や多面体構造をはじめとする環状構造単位が面的、立体的に連結した構造、または、分子構造(3):前記構造の少なくとも2個以上と架橋し、未架橋末端を持たない連続した鎖状構造(分岐の有無を問わない)、とすることにより、低誘電率材料が得られる。

Claim (excerpt)：

-M-O- (MはB ,Al,Si,Ti,Ge,Y ,Zr, Nb, Taの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素)をユニットとする主鎖を有し、その主たる部分の分子構造が、分子構造(1):環状構造、分子構造(2):梯子状構造や多面体構造をはじめとする環状構造単位が面的、立体的に連結した構造、または、分子構造(3):前記構造の少なくとも2個以上と架橋し、未架橋末端を持たない連続した鎖状構造、であることを特徴とする低誘電率材料。

IPC (3)：

C01B 33/113 ,  C01B 35/10 ,  H01L 21/316

FI (3)：

C01B 33/113 ,  C01B 35/10 ,  H01L 21/316 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-040829   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-187461   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-040829   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-187461   Applicant：株式会社東芝