半導体レーザ装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西教圭一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997324769
Publication number (International publication number)：1999163459
Application date： Nov. 26, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】フリーキャリア吸収を低減して内部損失を低く抑えることによって、高効率な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】活性層6の両面側に、活性層6の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型およびp型の光導波層4、8がそれぞれ設けられ、活性層6および光導波層4、8を挟むように、光導波層4、8の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型およびp型のクラッド層3、9がそれぞれ設けられ、活性層6と光導波層4、8との間に、活性層6および光導波層4、8の各禁制帯幅以上の禁制帯を有するキャリアブロック層5、7が設けられ、n型光導波層4の屈折率がp型光導波層8の屈折率より大きく形成される。

Claim (excerpt)：

活性層の両面側に、該活性層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型およびp型の光導波層がそれぞれ設けられ、活性層および光導波層を挟むように、該光導波層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型およびp型のクラッド層がそれぞれ設けられ、活性層と光導波層との間に、該活性層および該光導波層の各禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するキャリアブロック層が設けられた半導体レーザ装置において、n型光導波層の屈折率がp型光導波層の屈折率より大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-074088
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042837 Applicant：株式会社日立製作所
特開平2-074088

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