半導体レーザエピタキシャル結晶積層体および半導体レーザ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995005221
Publication number (International publication number)：1996195529
Application date： Jan. 17, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】光ファイバ増幅器の励起波長で発振可能であり、狭垂直放射角を有し、高光出力時でも横モードが安定した高信頼性の半導体レーザおよびそれに用いられる半導体レーザエピタキシャル結晶積層体の提供を目的とする。【構成】活性層7および9を挟む上下クラッド層3および13と、これらクラッド層と活性層との間に設けられた上下ガイド層5および11との間には、それぞれクラッド層よりも低い屈折率を有する低屈折率層4および12が設けられている。上下クラッド層および上下ガイド層は、そのAl組成または厚さに関して上下で非対称となっていてもよい。

Claim (excerpt)：

活性層と、該活性層を上下方向から挟む上部クラッド層および下部クラッド層と、該両クラッド層と前記活性層との間にそれぞれ設けられた上部ガイド層および下部ガイド層と、を含む半導体エピタキシャル結晶積層体において、前記上部クラッド層と前記上部ガイド層との間および前記下部クラッド層と前記下部ガイド層との間には、それぞれ近傍のクラッド層より屈折率の小さい低屈折率層が設けられたことを特徴とする半導体レーザエピタキシャル結晶積層体。

IPC (3)：

H01S 3/18 , C30B 25/04 , H01S 3/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-050054 Applicant：シャープ株式会社
レーザダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-036745 Applicant：イーストマン・コダックジャパン株式会社
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-128724 Applicant：日本電信電話株式会社

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