Pat
J-GLOBAL ID：200903040213934896

低熱膨張セラミックス

Inventor：
岩島 みのり

About 岩島 みのり

, 
尾形 知彦

About 尾形 知彦


Applicant, Patent owner：
東レ株式会社

About 東レ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001126307
Publication number (International publication number)：2002321967
Application date： Apr. 24, 2001
Publication date： Nov. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】本発明は、緻密性、高剛性、低熱膨張性、及び導電性を同時に満足する半導体製造用部品に好適な優れたセラミックス素材を提供せんとするものである。【解決手段】気孔率が7%以下であって、該気孔が独立気孔で、その平均気孔径が5μm以下であり、かつ、該セラミックスの比剛性(ヤング率(GPa)/密度(g/cm<SP>3 </SP>))が30以上で、JIS R1618に基づいて測定される熱膨張係数が3×10<HAN>ー<SP></HAN>7</SP>/K以下で、さらにJIS C2141による体積固有抵抗値が10<SP></SP><SP>5</SP>〜10<SP>9</SP>Ω・cmであるセラミックス。
Claim (excerpt)：
平均径が5μm以下の独立した気孔を有するセラミックスであって、(1)該気孔の気孔率が7%以下であり、(2)比剛性(ヤング率(GPa)/密度(g/cm3 ))が30以上であり、(3)JIS R1618による熱膨張係数が3×10-7/K以下であり、(4)JIS C2141による体積固有抵抗値が105〜109Ω・cmである低熱膨張セラミックス。
IPC (3)：
C04B 35/00 ,  C04B 35/447 ,  C04B 35/46
FI (3)：
C04B 35/46 B ,  C04B 35/00 H ,  C04B 35/00 S
F-Term (33)：
4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA21 ,  4G030AA27 ,  4G030AA36 ,  4G030AA39 ,  4G030AA41 ,  4G030AA45 ,  4G030AA47 ,  4G030AA49 ,  4G030AA51 ,  4G030AA52 ,  4G030AA54 ,  4G030AA60 ,  4G030BA01 ,  4G030BA02 ,  4G030BA20 ,  4G030BA24 ,  4G030HA16 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA21 ,  4G031AA29 ,  4G031AA31 ,  4G031AA33 ,  4G031AA36 ,  4G031AA37 ,  4G031AA38 ,  4G031AA40 ,  4G031BA01 ,  4G031BA02 ,  4G031BA20 ,  4G031BA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM