Pat
J-GLOBAL ID:200903040334713030
光透過ナノスタンプ方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平木 祐輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003077832
Publication number (International publication number):2004288802
Application date: Mar. 20, 2003
Publication date: Oct. 14, 2004
Summary:
【課題】新規な光透過ナノプリント法を提供する。【解決手段】基板上に微細構造を形成するために、基板と、表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを加圧し、スタンパ裏面より光照射する光透過ナノスタンプ方法において、前記基板にポジ型レジスト層を形成する工程、光透過性スタンパを基板上のポジ型レジスト層に加圧し、レジスト層を変形させる工程、光透過性スタンパ裏面より光を照射する工程、レジストを現像し、部分的に可溶化する工程、を含むことを特徴とする光透過ナノスタンプ方法。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
基板上に微細構造を形成するために、基板と、表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを加圧し、スタンパ裏面より光照射する光透過ナノスタンプ方法において、
前記基板にポジ型レジスト層を形成する工程、光透過性スタンパを基板上のポジ型レジスト層に加圧し、レジスト層を変形させる工程、光透過性スタンパ裏面より光を照射する工程、レジストを現像する工程、を含むことを特徴とする光透過ナノスタンプ方法。
IPC (2):
FI (2):
H01L21/30 502D
, G03F7/38 501
F-Term (9):
2H096AA25
, 2H096BA09
, 2H096DA10
, 2H096EA02
, 2H096EA03
, 2H096EA16
, 2H096GA08
, 2H096HA11
, 5F046AA28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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薄膜パターン製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-270458
Applicant:株式会社日立製作所
-
サブ波長構造体の製造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-393046
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
-
微細パターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-312158
Applicant:大日本印刷株式会社
-
半導体デバイス製造におけるパターン転写法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-252337
Applicant:株式会社石川製作所, 松村英樹
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Cited by examiner (4)
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薄膜パターン製造方法
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Application number:特願平3-270458
Applicant:株式会社日立製作所
-
サブ波長構造体の製造
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Application number:特願2003-393046
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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微細パターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-312158
Applicant:大日本印刷株式会社
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半導体デバイス製造におけるパターン転写法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-252337
Applicant:株式会社石川製作所, 松村英樹
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