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J-GLOBAL ID:200903040334713030

光透過ナノスタンプ方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 平木 祐輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003077832
Publication number (International publication number):2004288802
Application date: Mar. 20, 2003
Publication date: Oct. 14, 2004
Summary:
【課題】新規な光透過ナノプリント法を提供する。【解決手段】基板上に微細構造を形成するために、基板と、表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを加圧し、スタンパ裏面より光照射する光透過ナノスタンプ方法において、前記基板にポジ型レジスト層を形成する工程、光透過性スタンパを基板上のポジ型レジスト層に加圧し、レジスト層を変形させる工程、光透過性スタンパ裏面より光を照射する工程、レジストを現像し、部分的に可溶化する工程、を含むことを特徴とする光透過ナノスタンプ方法。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
基板上に微細構造を形成するために、基板と、表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを加圧し、スタンパ裏面より光照射する光透過ナノスタンプ方法において、 前記基板にポジ型レジスト層を形成する工程、光透過性スタンパを基板上のポジ型レジスト層に加圧し、レジスト層を変形させる工程、光透過性スタンパ裏面より光を照射する工程、レジストを現像する工程、を含むことを特徴とする光透過ナノスタンプ方法。
IPC (2):
H01L21/027 ,  G03F7/38
FI (2):
H01L21/30 502D ,  G03F7/38 501
F-Term (9):
2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA16 ,  2H096GA08 ,  2H096HA11 ,  5F046AA28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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