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J-GLOBAL ID:200903064149537264
サブ波長構造体の製造
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003393046
Publication number (International publication number):2004200664
Application date: Nov. 21, 2003
Publication date: Jul. 15, 2004
Summary:
【課題】基板上にサブ波長寸法の構造体を製造する方法を提供すること。【解決手段】導波路構造体16を持ちフォトレジスト12より屈折率が大きい親水性材料のスタンプを作製し、基板14上に形成した変形しうるフォトレジスト12に押印する。その導波路構造体16に光を受容させることにより、エバネッセント光を生成させ、導波路構造体16に隣接する微少なフォトレジスト12を露光する。露光後、現像処理をしてサブ波長構造体を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
変形しうるフォトレジスト(12、24)が基板(14)の上部に配置されており、
a)導波路構造体(16)をもち、用いられるフォトレジスト(12、24)より屈折率が大きい材料からなる親水性スタンプ(10)を形作るステップ;
b)前記スタンプ(10)と前記基板(14)を接触させることにより、前記の変形しうるフォトレジスト(12、24)に前記導波路構造体(16)を押印するステップ;
c)導波路構造体(16)に光を受容することにより、エバネッセント波を生成させて前記フォトレジスト(12、24)を露光させるステップ;および
d)前記フォトレジスト(12、24)を現像するステップ;
により特徴づけられる、前記基板(14)上にサブ波長構造体(22、26)を製造する方法。
IPC (4):
H01L21/027
, G03F7/004
, G03F7/20
, G11B5/84
FI (4):
H01L21/30 502D
, G03F7/004 511
, G03F7/20 521
, G11B5/84 Z
F-Term (13):
2H025AA02
, 2H025AB14
, 2H025AB20
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025AD05
, 2H025BC13
, 2H025BE01
, 2H025EA03
, 5D112AA02
, 5D112AA24
, 5D112BA10
, 5F046AA28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (2)
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ナノ構造体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-110512
Applicant:キヤノン株式会社
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デバイス製作のためのリソグラフィ・プロセス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-224839
Applicant:ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
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