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J-GLOBAL ID：200903040411145376

化学的気相堆積チャンバ内のガス流路におけるペデスタル周辺の構成要素

Inventor： ジュン ゾウ ,  アショック シンハ ,  アヴィ テップマン ,  メイ チャン ,  リー リュオ ,  アレックス スクレイバー ,  タレックス サジョト ,  ステファン ウルフ ,  チャールズ ドーンフェスト ,  マイケル ダネック
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997188357
Publication number (International publication number)：1998070088
Application date： Jul. 14, 1997
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】、例えば窒化チタンを堆積するチャンバの性能を改善することによって、チャンバクリーニングから次のクリーニングまでの間のウェーハの平均処理枚数を増加すること。【解決手段】 上記課題は、処理される基板142の縁部を越えて延びるペデスタル140の部分に、堆積用のガスが過剰な生成物を形成する傾向を削減することによって、達成される。本発明は、ペデスタル140と処理される基板142とから熱的に絶縁された周辺リング146を含む。この熱絶縁の結果としての周辺リングの温度低下が、その表面の薄膜堆積の速度の減少をもたらし、処理チャンバのクリーニングサイクル間のウェーハの平均数量を増加させる。その周辺リング146は、基板をペデスタルの表面まで下げたときにそのセンタリングを援助するための200を含む。

Claim (excerpt)：

基板を支持するペデスタルを含む主処理チャンバと、前記ペデスタルの上方に配置された処理ガス源と、前記主処理チャンバの外周を取り囲むと共に、通路によって接続され、かつ真空ポンプ装置に接続可能なポンピング流路と、前記ポンピング流路の壁に設けられた少なくとも一つの取外し可能なライナと、を備えるプラズマリアクタ。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/44 C ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 成膜装置およびその排気トラップ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-341828   Applicant：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社
• 特開平4-209794
  
• プラズマリアクタ内の半導体ウエハ処理用改善フォーカスリング
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-079075   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 特開平4-209794