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J-GLOBAL ID：200903040445030713

ビスマス化合物の製造方法とビスマス化合物の誘電体物質

Inventor： 網 隆明 ,  広中 克行 ,  池田 裕司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995213694
Publication number (International publication number)：1997059021
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ビスマス化合物による誘電体において導電性の副生成相の生成を抑制する。【解決手段】 圧力0.01〜50torrの雰囲気中で原料ガスを導入し、ビスマス化合物の前駆物質を基体上に堆積した後、酸化性雰囲気中で熱処理を行うビスマス化合物の製造方法。

Claim (excerpt)：

圧力0.01〜50torrの雰囲気中で原料ガスを導入し、ビスマス化合物の前駆物質を基体上に堆積した後、酸化性雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とするビスマス化合物の製造方法。

IPC (5)：

C01G 29/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4)：

C01G 29/00 ,  C23C 14/08 K ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 化学的気相成長法用原料とこれを用いて製造したビスマス層状化合物とその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-081442   Applicant：ソニー株式会社
• アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-339502   Applicant：宇部興産株式会社